陈兵要把论文发给INtEL的虞博士，是真的，但让INtEL去帮忙在学界推荐，却未必会实现。
以陈兵的估计，INtEL在得到这篇论文之后，大概率会做的，不是向学界进行推介，而是反过来找英豪密议，尽量延后这个论文在学界的公开推广，以抢出时间，领先竞争对手，对这个NoR闪存进行商业化开发。
此时的INtEL给自己的定位，还不是一个cpU公司，而是一个存储公司，EpRom这个产品，本身就是INtEL发明的，而NoR闪存又是基于EpRom的结构，肯定能够引起INtEL的高度重视。
历史上也是如此，东芝虽然率先提出了闪存的概念，但由于东芝不重视这项新发明，反而是INtEL率先推出了NoR闪存产品。
与INtEL、东芝等厂商，还需要对闪存的商业价值进行预测不同，陈兵是明确知道闪存的巨大商业价值的。
只是以英豪现在的产业地位和技术能力，想要自己独自吐下这一块巨大的蛋糕，是完全做不到的。
不过如果拉上INtEL，有INtEL的强大支撑，英豪就极有可能对这个产品实现一定程度的垄断，从而把霓虹的几个潜在竞争对手提前挤出局，或至少掌握更多的竞争优势。
邓教授现在已经明确的提出了NoR闪存的结构，已经抄路跑到了东芝富士雄的前面，而接下来，邓教授还会马上投入NANd结构的研发，大概率会继续领先东芝推出研究成果。
如此一来，关于闪存的基础架构的提出者，就不再会是霓虹的东芝，而是英豪。如果再联合INtEL领先完成这两个结构的商业化开发，就可以率先取得闪存的诸多知识产权和专利，为阻拦霓虹系厂商进入这个领域，建立起壁垒来。
现在已经是1983年底了，霓虹与灯塔半导体产业的战争，已经进入到了白热化的程度，灯塔半导体厂商对于霓虹的防备心已经极强，已经不会再轻易向霓虹厂商，进行技术转移了。
现在这个时点，正是全球半导体产业竞争的重要时间节点，霓虹几个半导体厂商，正在联合起来，对灯塔的半导体领域全面进攻。
尤其是dRAm存储领域，霓虹厂商更是咄咄逼人，很快就会逼使INtEL退出dRAm领域。
而霓虹这种胜利的结果，就是遭遇灯塔的降维打击。《广场协议》和《美日半导体协议》就将接踵而至。
这些降维打击，并未马上就让霓虹半导体厂商彻底投降，而是顽强抵抗了一阵，其中闪存领域，就是霓虹厂商抵抗最激烈的产品线之一。
历史上，虽然INtEL抢先发表了NoR闪存，但富士雄又很快研发出了NANd闪存与INtEL进行抗衡。
而NANd闪存与NoR闪存，其实是各有擅长，最终被分别用在了不同的应用领域，只是NANd闪存的市场应用更广，商业市场更大。
霓虹厂商能够在闪存领域抵抗灯塔的反攻，很大程度上就是因为，这些技术都是由东芝的富士雄团队率先研发出来的，并在霓虹半导体产业内进行技术扩散的，他们掌握了自主的知识产权，也就有了更强的抵抗资本。
但现在陈兵已经抢先推出了闪存，未来两年还会更进一步的抢夺更多的基础知识产权，只要与INtEL形成了垄断的技术联盟，就绝对会在闪存这个领域，对霓虹形成很大的压制作用。
在闪存领域压制霓虹，对于陈兵来，还只是手段，并不是最终目的。在陈兵的规划之中，闪存还有着更加重大的意义和作用。
历史上，内地的半导体产业，是被西方的经济体系严重边缘化的，在中芯成立之前，内地的半导体产业，就没有真正的进入过西方主导的产业链。
直到中芯成立之后，内地的半导体产业，才从制造端真正开始切入全球半导体的产业链条。
中芯能够成立，能够获得相对比较先进的设备采购许可，也并不是灯塔政府有什么好心。
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