第242章 碳化硅和离子阱 (2 / 2)

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        “我知道前不久厄囯科学家刚刚研制出一种‘平面离子陷阱’。相比起以前那种立体离子陷阱难以互连弊端,这种平面结构的离子阱,相对来说制造规模很容易扩大……你这是打算直接做量子芯片?”

        廖宛茵翻看着丁小雅的论文初稿问了一句。

        她看到的那份资料上就提到厄囯的研究人员成功地使金制棒状电极平行排列在硅芯片的一个平面上,再利用照相平版印刷术將相关的电路蚀刻到这个平面上。

        据说这样就可以非常简单地制作大量同样的产品,众多离子陷阱可以被串联起来,形成量子芯片。

        不过,虽然他们已经成功地用平面离子陷阱捕捉了12个镁离子,但这种离子不太适合用激光橾作。

        用激光改变量子比特的状态是进行量子运算的基础,他们现在的研究面临的首要问题是,确保平面离子陷阱可以捕捉更适用于量子计算机的离子。

        离子阱有全扫描和选择离子扫描功能,同时利用离子储存技术,可以选择任一质量离子进行碰撞解离,实现二级或多级msn分析功能。

        丁小雅的论文初稿前面一部分也同样阐述了类似的观点,所以廖宛茵才有此一问。

        “我是想要做量子芯片,但并不是厄囯人那种平面阱!我葽做的是多层阱……目前暂定是百万级的商用芯片!”

        听到丁小雅的话,廖宛茵两只眼珠子差点掉下来……嘴巴张得仿佛脱臼了一样!

        好不容易才回过神来,一边揉了揉腮帮子,一边用难以置信的眼神看着丁小雅问道:“你……你确定……是百万级?”

        “嗯!大概两百万左右……”丁小雅淡定地笑着说道。

        听到她的确认,廖宛茵的手都有些发抖……而就在这时,宋杰兴冲冲的冲了进来,打断了她们两人的谈话。

        “小雅!找到了……我找到了!”

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